长鑫存储技术有限公司

中国大陆唯一实现 DRAM 规模化量产的 IDM 企业，打破了三星、SK 海力士、美光三家垄断的全球 DRAM 格局。公司从 19nm 起步，逐步推进到 17nm 及更先进节点，产品覆盖 DDR4、DDR5、LPDDR4/5，并在合肥、北京布局多座 12 英寸晶圆厂。其量产意味着中国在内存这一“卡脖子”品类上有了自主供给能力，对国产手机、服务器、PC 产业链意义重大。

代表性产品与技术

DDR4/DDR5 内存颗粒 · LPDDR4/5 · 服务器内存

长鑫存储被美方视为中国存储自主化战略的核心载体，且其技术来源与人才引进被指涉及美国原产技术的转移风险。2022 年 12 月 16 日，BIS 将其列入实体清单，限制其获取美国原产的先进 DRAM 制造设备（光刻、刻蚀、薄膜沉积、量测）与 EDA 工具，理由是其活动可能违背美国国家安全与外交政策利益。限制的核心目的是压制中国 DRAM 向更先进制程与更大产能扩张。

限制关键词

DRAM存储自主设备限制

先进节点扩产受阻，转向国产设备与成熟制程扩产，并通过技术迭代维持 DDR5 竞争力。

• 2022 年 12 月 16 日列入
  实体清单

  BIS 将长鑫存储（合肥长鑫/睿力集成）列入实体清单

  87 FR 77505

1. 联邦公报：Additions and Revisions to the Entity List and Conforming Removal From the Unverified List（87 FR 77505）